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高磁导率铁氧体磁心阻抗特性探讨

2018-07-05 14:34:21 来源:电子变压器与电感网

随着电子产品日趋小型化、轻量化、薄片化,整机使用的电感器、滤波器、扼流圈和脉冲变压器等器件引起的电磁干扰(EMI)问题日趋严重,且在电磁兼容(EMC)领域,用作抑制电磁干扰的共模扼流圈等元器件得以迅速发展,因而软磁铁氧体高μi材料的需求量不断扩大,加之汽车电子领域的充电桩、通信领域的无线充电等多项应用,对高μi材料性能有了更高要求。
过去人们重点致力于不断提高高μi材料的初始磁导率,但随着电子技术的不断进步,用户对高μi材料的各项稳定性指标提出了更高要求,如:随着频率的增高,磁导率衰减较低(μi-F特性)、阻抗降低较少(|z|-F特性)、比损耗系数较低(tanδ/μi)、在宽温下磁导率更稳(μi-T特性)、磁导率减落系数要小(DF)及谐波失真(THD)更低等。为了在产业化生产中实现这一目标,这就需要深入了解相关的基础理论,重视制造技术各个工艺细节,本文试图就此做些粗浅探讨。





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