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10kW高压电源的研制

2008-01-03 11:11:05 来源:《国际电子变压器》2008年1月刊 点击:1799

1 引言
由于开关电源具有体积小、重量轻、效率高、响应速度快等优点,使其得到了越来越广泛的应用。目前真空管雷达发射机电源大部采用开关电源,目的就是减少发射机的体积和重量,提高了雷达的机动性。由于在高压电源中不宜采用LC滤波器,因而可选择的电路拓扑形式就受到了限制,而串联谐振变换器具有耐负载短路、零电流、高效率等优点,所以串联谐振变换器在高压电源领域得到了广泛的应用。
本电源是为中国科学技术大学研制的等离子体加速器加速负高压电源,功率达10KW。
2 电源指标、组成和结构
2.1 主要技术指标
输入电压:三相 50Hz 220V±10%
输出电压:电压可调0-20kV
输出功率:≤10kW
电源效率:≥80%
2.2 电源组成
整个电源分3个部分:整流滤波电路、谐振变换电路、高压整流电路。考虑到输出电压可调,决定采用相控整流模块;由于电源功率较大,采用LC型滤波器效果较好。
谐振变换器电路决定采用全桥谐振电路。这样高压变压器的变比较小,变压器的分布电容就较小,另外电源的功率较大,采用全桥电路,则桥路电流及工作频率都不是很高,有利于电源的热设计。所以采用全桥变换电路。
高压整流电路采用全桥整流电路,滤波电路为高压电容滤波,以输出20kV/10kW的直流高压。
电源的主电路见图1所示。

         图1 串联谐振高压电源原理图
2.3 电源结构
电源机柜的体积为:430mm*20mm*720mm,呈立方体,下有4个轮子,可自由移动。电源分上下2层,下层为电源整流部分,有电网滤波器,相控整流桥,LC滤波器,低压辅助电源模块;上层为变换器部分,有一个大散热器,2个半桥IGBT模块置于散热器上,IGBT模块的旁边有2块IGBT驱动电路板,还有1块驱动电源板、一个控保电路板和谐振电容。高压变压器及高压整流硅堆没有装在机柜内,装在另一个机柜中;电源机柜的门上镶嵌一块控制面板,整个电源机柜见图2所示。

图2 电源机柜外型图
3 样机设计
3.1 采用IGBT作开关管
考虑到IGBT管具备开关速度快,电压控制容易驱动,功率容量大等优点,我们选择IGBT作为主开关器件。经计算谐振电流峰值Ipeak=120A,考虑到应有的余量选取200A/1200V的IGBT管,选择西安爱帕克公司的产品:GA200TD120K,该IGBT管采用第5代NPT技术,具有较高的开关频率,较低的导通、开关损耗等优点。
3.2 驱动电路的选择
目前IGBT集成驱动电路很多,常用的有EXB840/841、M57959L/AL、MM57962L/AL、IR2110及HR065等,驱动电路很重要,它直接影响到IGBT可靠工作及可靠保护,经比较我们选择了瑞士CONCEPT公司的产品IGD515EI,该驱动器具有很强的驱动能力,最大驱动电流达15A,可驱动大电流IGBT模块。
另外该模块对于开关管具有短路和过流保护的功能,还提供一个状态监视信号供保护之用,一旦驱动模块检测到开关管过流,状态监视信号立即输出一个故障电平供保护用。
驱动板的设计主要是围绕驱动模块进行的,元件参数基本上采用说明书推荐值,合理地安排了元器件的布局,输入、输出信号都采用光耦隔离,以减少干扰。
3.3 控保电路的设计
目前使用零电流开关工作方式的电源很多,其中MC340066就是一个很不错的零电流控制芯片,但是最近传来MC340066停产的消息,为了寻求一个替代品,笔者选用了另外一种芯片UC3867,UC3867的主要特点是:
⑴ 编程VCO振荡器频率在10Khz—1Mhz之间。
⑵ 输出为一对可驱动功率MOSFET 的反相图腾柱结构,输出峰值电流达1A。
⑶ 具有ZERO端,使驱动脉宽受到ZERO端输入信号脉宽的调制,目的是实现开关的零电流导通。
⑷ 故障产生后,具有可编程延时再次启动功能。
⑸ 芯片工作后可产生5V的电压基准,供内外电路使用。
⑹ 根据欠压锁定门限的不同,芯片分为2种:门限为16V/10V,选UC3865;门限为8V/7V, 则选UC3867。
控保电路的设计是围绕控制芯片UC3867来设计的,控制板原理框图见如下所示 :

图3  控制电路方框图  
3.4 主电路元件设计:
选择2DCM型串联谐振变换器[1,3]。根据公式,及,即可推出来谐振电容的计算公式:

式中:M为电压变换比;fs为开关工作频率;fo为谐振频率;E为回路直流电压;n为变压器匝比;RL为负载电阻;η为电源效率;Po,为电源输出功率。
由于高压开关变压器是外购的,参数是:匝比为40,漏感约60uH,由于变压器漏感很大,我们利用漏感作为
谐振电感,即L=60UH,n=40,P=10kW,代入上式,可计算出C=0.8uf。
另外,我们利用SABER仿真软件进行了验证,仿真结果见如下图4、图5所示:分别为不同谐振电容CS的谐振电流波形和输出电压波形。后来经电源调试,电容C=1uf,输出电压才达到了20kV实验电压,这一点得到了仿真波形的验证,见图4所示。最后我们选用了宏明元件厂C48A型1uF电容作为谐振电容。
4 电磁兼容设计
10kW功率较大,电磁干扰很严重,除了合理安排

图4  不同谐振电容CS的谐振电流波形
(上:CS=1uF,中:CS=0.8uF,下:CS=0.5uF )

图5  不同谐振电容CS的输出电压波形
(上:CS=1uF,中:CS=0.8uF,下:CS=0.5uF )
元件位置外,接线时还需要进行电磁兼容性设计:
1)大电流导线和小信号导线要分开,尽可能拉开距离。
2)控保电路全部采用抗干扰容限高的CMOS集成电路,以提高电路的抗干扰能力;印制板的输入、输出信号都采用光耦隔离,以杜绝相互干扰。
3)交流接触器是一个强干扰源,为减少它的干扰,需要在它的线包和触点两端并联RC吸收电路。
4)谐振电感有较强的交变电磁场,而且比较热,尽量将它放在远离IGBT和小信号电路、通风较好的位置,以防止小信号电路受到它的干扰。
5)将IGBT驱动板尽可能靠近IGBT模块,控保板至驱动板的驱动线采用屏蔽双绞线,以防止驱动信号受到干扰。
6)尽量减短IGBT模块的直流母线长度,减小母线上的分布电感,并 在IGBT模块旁接入一电解电容,防止IGBT关断时因母线上的分布电感过大引起IGBT电压击穿。
5 实验结果及波形分析
实验是按照两个步骤进行的:首先进行输出达20kV的实验,输出达10kW稳定工作后,再进行第二步实验:将变压器次级接入12倍压的高压整流电路,最终输出高压达240kV。
表1记录了第1步骤20kV/10kW的实验数据,从数据可见当输入3相电压为220V时,输入整流电压达到515V时,输出电压达到20kV,输出功率达到10kW,串联谐振电路效率高达96%,包括整流电路后电源效率大于90%,达到了设计要求。
表1  串联谐振电路效率
输入整
流电压
(V) 输入直
流电流
(A) 输出直
流电压
(kV) 输出直
流电流
(mA) 效率
(%)
310 13 12.4 300 92
400 17 16.2 400 95
450 19 18.2 450 96
500 20.5 20 495 96

 图5、图6分别给出了20kV/10kW实验电源的IGBT驱动波形和谐振电流波形,与图4的仿真谐振电流波形相比,可见两者十分接近。

图5  实验上IGBT驱动电流波形

图6  实验上CS=1uFS的谐振电流波形
6 实验结论
所研制的电源,通过了8h的满载运行,经测试各项指标达到设计要求,目前该电源已成功应用于中国科技大学高能物理研究——等离子体加速器上。
参考文献
[1] 范鹏.一种高压电源的设计[J]. 现代电子,1999(4):38~41
[2] UNITRODE CORPORATION. Resonant-Mode Power Supply Controllers.SLUS289-OCTOBER ,1998
[3] 叶慧贞,杨兴洲. 开关稳压电源[M].北京国防工业出版社,1990

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