l 引言
在半桥结构中驱动高边开关必须要有信号从控制器传送到浮动高边。根据驱动电路的性能和拥有不同种类电平位移的HV IC，信号互换需要用光电耦合器、脉冲变压器或带有电平位移的HV IC。光电耦合器可以提供安全隔离，但存在的问题是：光电耦合器的响应速度相对MOSFET、IGBT等开关速度太低、性能也会逐渐变差；隔离变压器尽管是很普遍的解决方案，但所带来的问题是：驱动电路会变得很复杂、驱动信号的占空比会受到限制（如50％以下）、驱动信号的波形也会变差；带有电平位移的HV IC价格是比较低廉的，但需要专用的驱动IC。
2 半桥驱动器的特性
为了能够将多种功能集成在IC中，本文分析讨论了半桥驱动器的潜在性能。
2.1 栅极驱动
驱动功率半导体器件必须要引用控制器的PWM信号为发射极与栅极提供电压。控制器的输出信号电压不是很高，并且电压变化率也很低，因此需要放大和电平调整。如果功率设备是在同样的电压下，栅极驱动功能可以加以补充和丰富，但在许多情况下发射极与控制器的电压是不同的。
图1所示的半桥驱动结构跟普通电力电子线路里的一样，控制器和高边发射极之间的电压VE2不仅是不同的，而且在工作期间是变化的。将PWM信号从控制器传送到高边功率半导体，需要多种类型的信号传送器。总而言之，栅极驱动的最小功能是放大和电平位移。
图1 半桥的内部结构图
2.2 电平位移
工业要求在功率级和频率变换器控制板之间要有安全隔离。在很多低性能驱动应用中，往往是牺牲更多的效率来实现电路板和微控制器之间的隔离。
如果在控制器和功率级之间不加绝缘隔离，可以应用如图2所示的带有单片集成电平位移的高压IC。这种IC在600V及其以下的电压时非常消耗效率。由于更高的电压在输入和输出之间用硅实现准隔离使这种解决方案变得很昂贵。高电平驱动通常需要在微控制器和功率级之间加隔离。在工作电压达到890V的应用中，这些驱动的首选是现成可用的具有安全隔离的光电耦合器。所有采用光电耦合器的解决方案的主要缺陷在于相当慢的传输时间和更差的变换时间。高电压隔离也可以由脉冲变压器实现，离散脉冲变压器的传输特性是不错的，但成本和物理大小迫使人们寻找新的解决方案。无磁芯变压器技术即提供了一种新的解决方案。

图5  2ED020I12-F内部结构图
5 结语
本文表明放大作用和电平位移是栅极驱动的主要任务，讨论了多种实现电平位移的技术。介绍了一种新型的高边驱动解决方案，用无磁芯变压器技术设计具有电隔离的高边驱动。最后介绍了一款合并了无磁芯变压器技术的产品2ED020I12-F，体现了无磁芯变压器技术的优越性。
参考文献
[1] Y．Hui，H．Shu—Hung chung，s．C. Tang．coreless PCB Transfomers for Power MOSFET/IGBT Gate Drive Cir-cuits[J]．IEEE Transaction on Power Electronics．1999，5(14)：5-8．
[2] Mark Munzer．Coreless transformer a new technology for half bridge driver ICs[J]．PCIM Nuremberg．2003．
[3] Michael Hornkamp．Current shunt resistors integrated in IG-BT power modules for medium power drive application[J]．PCIM China．2004．
[4] Bernhard Strzalkowski．Analysis of features optimizing and model building of highly isolated planar transformer，inte-grated on chip and manufactured in BiCMOS semiconductor process[J]．PhD Thesis 2004．
[5] eupec GmbH: EiceDRIVERTM 2ED020I12-F Datasheet and Application，http：//www．eicedrivei．com，2003．
作者简介
闫晓金，男，1982年生，硕士研究生，研究方向为高效率功率变换及超级电容器的应用。
宁武，男，1980年生，讲师，硕士研究生，研究方向为超级电容器的应用及控制工程。
陈永真，男，1956年生，副教授，硕士生导师，长期从事电力电子技术教学科研工作。