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用于电磁干扰抑制的片式元件(三)

2010-06-09 11:21:36 来源:《磁性元件与电源》2010年6月刊
8 片式电磁兼容对策器件的应用例
结束本文前,介绍若干片式电磁兼容对策器件的应用例。
8.1 片式对策器件的组合使用例(磁珠与三端电容器的结合)
图33是将MARUWA公司的磁珠与三端电容器结合起来使用的例子。其中图(a)是单个磁珠的插入损耗,图(b)是单个三端电容的插入损耗。从图中可以看出,两种器件单独使用时的插入损耗曲线都不是非常陡直,说明噪声衰减的选择性比较差;与此同时,插入损耗的最大衰减也不是很大,说明对噪声的衰减能力有限。从图(c)至图(h)给出了将磁珠与三端电容器合在一起使用的插入损耗曲线。其中图(c)至图(f)是220pF、470pF、1000pF和2200pF四种电容分别配60Ω至2000Ω磁珠时得到的插入损耗曲线。而图(g)和图(h)是磁珠固定,分别是150Ω和2000Ω配不同电容时(220pF、470pF、1000pF和2200pF四种电容)得到的插入损耗曲线。从曲线的形状与最大衰减值来看,都要比单个元件使用有较大改进。
8.2 电源线的噪声抑制对策例
下面是几例电源线的噪声抑制对策例子。
● 车载音响设备的电源线滤波例
对于车载设备来说,与普通民用电气设备最大的不同是,车载设备的电源系统是由许多设备所共用的,设备与设备共处在一个相对狭小的车内环境中,因此设备与设备之间的相互干扰问题在一定程度上要比普通民用电气设备严重得多。在这个电源中,有普通的用电设备,如灯光控制、雨刮控制等等,也有车上的音响、电视、车载通信和车载导航等典型的电子设备,更有能产生强干扰的汽车点火系统等,这些负载的性质相差很大,有的是强干扰源,有的则是干扰敏感设备。为了确保各种设备都能很好地工作,对每一个设备的电源进线进行必要的处理是不可缺少的,图34就是有关车载音响设备的电源线处理例子。图中采用MARUWA公司的片式大电流三端电容、片式两端电容和普通电感组成的电源线滤波环节。
● 设备的电源线处理例 ⑴
图35(a)是一个对电源线滤波的例子。这里采用的是MARUWA公司生产的DNM(或DCM)系列表面贴装高性能滤波器。从图35(b)有关DNM滤波器的插入损耗特性曲线可以知道,这种滤波器有着相当宽的阻带频率段,图中表明10kHz时,滤波器的插入损耗已经达到10dB(见DNM01和DNM03的曲线),100kHz时达到30dB,1MHz时达到50dB,10MHz时达到70dB,100MHz时达到50dB,1GHz时达到30dB,10GHz时还有20dB。所以用它接在开关电源或DC/DC电源之后,对这些电源的输出噪声将有非常好的抑制作用。
● 设备的电源线处理例 ⑵
图36是在电子设备中对电源线的一个处理的例子,相信这是在许多电子设备的设计和安装当中能遇到的实际问题。其中图(a)表示电源和负载(尤其是单片机和数字电路)不在一块印刷板上,中间要用长线将它们联系起来。由于负载在工作期间要从电源吸收电流,尤其是在负载的开关电路开关的一刹那时间,电流变化率极大,这一变化在通过电源线的时候就会一边传导,一边辐射,在周围空间形成电磁辐射。图(b)就是在没有采取任何传导和辐射抑制措施的时候,在电波暗室里用3米法测试得到的辐射发射情况,个别频点上有辐射超标的现象。这一情况表明,对上述布线和布局不采取任何措施是没法通过辐射发射的指标,为此,要在负载电路板的入口处增加干扰抑制措施。方法之一是采用图(c)在电源线上串联共模电感(村田制作所PLM250H10共模电感),重新进行辐射发射试验,发现不合格的情况没有了,但个别点上发射稍大。方法之二是采用图(d)在电源线上并联三端电容(村田制作所的NFM41P11C204),在重新进行辐射发射试验时,发现试验可以通过,但个别点上发射稍大,而且频率点与图(c)不同。一个比较好的方案是图(e),采用一个共模电感和一个三端电容级联成LC滤波器,同样再做辐射发射试验时,则在各频率点上有较好的发射裕量。
● 高速数字电路的电源线噪声处理例
在高速数字电路上采用去耦电容是为了抑制集成电路工作时产生的噪声,去耦电容要尽可能接在集成电路电源端子的近处,在提供集成电路必须的高频电流补充的同时,可以滤除电源噪声,稳定集成电路的工作。去耦电容一般用10μF以上的铝或钽电解电容器与0.1μF的陶瓷电容器并联使用。但是随着数字电路的高速化,普通的二端电容已不满足高速化的要求,因为在高频领域中电容器的残留ESL和ESR会影响电流的供给能力,而不足的电流就要从电源端供给,使得电源线和地线成为噪声的源头。在这种情况下如能组合使用ESL和ESR极低的三端电容,将使效果大大增加。图37说明高速数字电路的去耦原理(包括用二端电容和三端电容的滤波的原理,以及为什么用三端电容会比二端电容更好的道理)和正确的接线方法。
8.3 在开关电源设计中采用片式三端电容器与铝电解以及钽电解电容器组合改善滤波的高频特性例
众所周知,开关电源的主要缺点之一是输出电压含有较大的噪声电压的峰峰值,这是由于电解电容器在高频下的特性不完善所造成的。电解电容在高频下可以用电容、电阻和电感三者的串联来等效。因此,在高频下电容对噪声的旁路作用不再明显,由于电阻和电感的存在,反而使噪声电压体现在电源的输出端。为了抑制开关电源的输出噪声,通常有两个建议可供设计人员采用,一个是将输出端的电解电容一拆为几,即一个大容量的电解电容用几个小容量电解电容的并联来代替。这一建议虽不能根本抑制噪声电压的产生,但用新办法所产生的信噪声电压的峰峰值要比原先为小。另一个方法是在电解电容旁边并联一个小容量的高频陶瓷电容器,利用高频电容在高频下所体现的低容抗,将输出噪声电压得到较大衰减(当然在印刷电路板上的陶瓷电容也应该保持比较短的走线长度,保持尽可能小的线路阻抗)。
图38是MARUWA公司提供的方案与试验结果。其中图a上有两根曲线,一根是将47μF的铝电解电容器与0.1μF及0.01μF的两个高频陶瓷电容并联后在50Ω-50Ω测试系统中得到的插入损耗曲线。另一根是将47μF的铝电解电容器与一个是0.1μF的三端电容器并联后得到的插入损耗曲线。图b则是将铝电解电容器改换成钽电解电容器(电容器的不变)后,并联同样容量的高频电容和三端电容后得到的插入损耗曲线。从两张图和两根曲线可以看出,采用三端电容器的衰减特性要比采用普通高频电容要好;采用钽电解电容的衰减特性要比采用铝电解电容器好。
8.4 信号线的噪声抑制对策
一般而言,在噪声传输路径上可同时采用电容型或电感型的滤波器来抑制噪声。
将电容型滤波器作为基本器件的条件是:① 与它连接线路的输入或输出阻抗比较高。② 与它连接线路的噪声水平比较高(如时钟线和控制总线)。
将电感型滤波器作为基本器件的条件是:① 与它连接线路的输入或输出阻抗比较低(例如与总线控制器连接电源线)。② 与它连接线路的噪声水平相对比较低(如可简单地采用铁氧体磁珠作为滤波器,不需要接地,而且安装比较容易)。③ 与需要电流控制的线路相连(同时驱动的多条信号线,例如地址总线、数据总线和控制总线)。
具体地说,在输入和输出阻抗较高的CMOS或TTL电路中采用电容型滤波器可以更为有效地抑制信号线上的噪声。因此电容型滤波器一般用在输入阻抗和噪声水平都比较高的时钟等线路上。
当导线的辐射噪声非常强时,通常也选用电容型滤波器,并将滤波器的接地端和一个稳定的地(如地参考平面)相连。如果能够有效地运用这个滤波器,那么它的噪声抑制水平有望达到20dB或更高。
当噪声水平相对较低时,一般采用电感型滤波器,这是因为电感型滤波器( 铁氧体磁珠和共模电感)无须接地,从而简化了滤波器的安装。
电感型滤波器也是用来抑制电流噪声的基本器件。当电感型滤波器单独使用达不到所需抑制效果时,可考虑同时采用电容型滤波器。
如果在噪声传输路径上单纯使用滤波器还不能将噪声降到所要求的水乎时,则此时还应当考虑在噪声源处接滤波器。
下面是两例在信号线抑制噪声的例子。
●  在信号线上应用片式滤波器的实例1 
在总线(尤其是数据总线和地址总线)上,当有多条线路同时切换时将会在瞬间产生很大的电流变化,这一变人的电流将会流经电源线和地线,并在电源线和地线里产生压降的变化,进而通过电源线和地线的压降的变化,影响设备其他部分的稳定工作。针对这一情况,我们有必要通过对信号线中的瞬变电流的变化进行抑制,来抑制流入电源线和地线的电流变化。采用铁氧体磁珠可以达到这种抑制效果。如果执行的是高速操作,噪声水平极高时,一般应选用具有内置电阻的片状EMI滤波器。图39是一个可以采用的实例。
图中对于高阻抗的线路选用电阻为150kΩ~3kΩ的片式EMI滤波器或片式铁氧体磁珠。对于低阻抗的线路选用50Ω~150Ω的片式EMI滤波器或片式铁氧体磁珠。
● 在信号线上应用片式滤波器例 2
经长线传输的信号电缆,它的电磁噪声应通常同时采用片式三端电容和片式铁氧体磁珠来进行抑制。图40就是其中的一个例子。
图中,片式三端电容器的电容量大小要视传输信号的速率来定,速率低的可以用电容量稍大一些的三端电容,例如1000pF;速率高的要用电容量小一些的三端电容,例如100pF。另外,片式三端电容器需要稳定可靠地接地。
8.5 片式电容器的使用问题
8.5.1 片式二端电容器的正确接线
已经讲过,电容器的残留电感量大小直接会影响到高频滤波的效果,为了提高高频滤波的效果,就要尽量减小残留电感ESL,使谐振频率f0向高频段的方向移动。注意,这里残留电感不仅是由元件本身的构造和材料所决定的,而且在应用线路里地线的稳定性以及地线低阻抗设计也非常重要。
8.5.2 不同的片式电容器在线路板上的正确接线方法
不同的片式电容器在线路板上的正确接线方法见图41所示。
8.5.3 片式三端电容的使用和接地问题
● 将片式三端电容用在噪声源发生处
在差模信号流经的线路上,由片式电容器担当的这类噪声抑制器的接地端子应连接在噪声源一侧的接地点上,这样差模噪声便被旁路到地,于是噪声得到消除,见图42所示。
● 将片式三端电容用在噪声传输的途径上
在存在共模噪声问题的噪声传输路径上,电容器这类噪声抑制器的接地端应连接在一个非常稳定的地平面上,这样就能将有较高噪声线路中的噪声旁路到地,见图43所示。
● 片式三端电容器的接地
片式三端电容器的接地方法见图44所示。图中对比了两种接地方式,图(a)是正确的,图(b)则是不正确的,详细原因请见图中右侧文字说明。
另一张用来说明片式三端电容器的接地方法见图45所示。这张图用来说明三端电容器和接插件配合的问题其中图(a)是正确的,图(b)则是不正确的,详细原因请见图中右侧文字说明。
8.5.4 进一步提高片式三端电容器使用效果的方法
贴片电容器的优点是可采用高密度的自动化安装,但如果没有采取辅助屏蔽,高频时输入与输出间的辐射耦合,使效果会大打折扣(图46)。为此可采用屏蔽隔板,板的下面开一个“老鼠洞”,把电容器的输入和输出分别放在屏蔽板两边,隔离两者间的辐射干扰,效果可达到1GHz及以上,可与贯通滤波器比美,这就是所谓“老鼠洞”屏蔽技术(图47)。
8.6 片式压敏电阻的使用问题
合理选择压敏电阻安装位置十分重要。一个好的静电放电抑制器安装位置可以将受保护芯片两端的静电放电瞬态电压降至最小。
对于高速瞬态静电放电来说,布线的寄生电感是不能不考虑的问题,布线电感在高频下表现为一个阻抗元件。如图48,L2能够阻挡部分残余的静电放电脉冲,因此,设计时应使L2最大,即抑制器离受保护芯片尽可能远。
原则上,静电放电抑制器应直接安装在接线端后部,成为电路保护的第一道“防线”。
另一个重要设计是减小静电放电抑制器与数据传输线之间的距离。寄生电感L3会引起电压过冲并增加抑制器的
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