平面晶体管，也称为平面工艺制作的晶体管，是一种特殊的晶体管类型。其主要的工艺特点是利用光刻技术和二氧化硅膜的掩蔽作用来进行选择扩散和电极的蒸发，因此所制成的晶体管在硅片的表面上全都被扩散层和氧化层所覆盖，像一个平面一样。这种平面晶体管的结构使得它具有较高的性能和可靠性，因此在许多高精度的电子设备中得到广泛应用。 平面晶体管的结构主要包括中心机构和发射区、基区、集电区三个区域。在平面晶体管的制作过程中，通常先在硅片上形成一层二氧化硅膜作为掩蔽层，然后利用光刻技术将掩蔽层上的特定区域打开，再通过扩散或离子
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