肖特基整流器,也称为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD),是以贵金属(如金、银、铝、铂等)A为正极,N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,它也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,是一种热载流子二极管。 肖特基二极管的反向恢复时间极短,在100纳秒以下,其反向耐压值较低,一
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Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。
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