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本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性，并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性、导通特性及开关特性的影响。

电力半导体器件场阻止层阻断电压隐埋型

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