驱动变压器是一种特殊类型的变压器,用于在电力电子设备中提供隔离和电压变换。它们通常用于驱动功率半导体器件,如 IGBT 或 MOSFET,以实现电力转换和控制。 驱动变压器的主要特点包括: 隔离:驱动变压器可以将输入电压与输出电压隔离,以避免输入和输出之间的电气干扰。 电压变换:驱动变压器可以将输入电压变换为适合功率半导体器件的电压。 低漏感:驱动变压器需要具有低漏感,以避免在开关过程中产生过高的电压尖峰。 高速响应:驱动变压器需要具有高速响应,以确保功率半导体器件的快速开关。 可靠性:驱动变压器需要具
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TDK扩展了爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,推出两款新型元件。
近期,伍尔特电子推出MID-GDT系列的新型驱动变压器。据悉,这些MID-GDT系列产品的表面贴装最大高度为5.38mm,并且在变压器次级绕组上的采用了至少为70Vμs的伏特特性产品,其工作温度在-40℃—125℃之间,并且具有1500V的隔离电压。
普莱默公司针对这一应用开发了一种新型高隔离栅极驱动变压器。GDAU系列产品是符合控制MOS晶体管要求的小尺寸绝缘SMD变压器最优推荐品。这款高度小于8mm的产品可却确保3kV的绝缘水平以及大于5mm的爬电距离。特殊绝缘线和特殊结构的使用,降低了寄生元件的参数。
普思电子扩充了P0584/85NL高隔离栅极驱动变压器系列,新的ANL系列的绕组使用了绝缘线,因此使得它们IEC61558和 IEC60601等安全机构的增强隔离标准。
对具有驱动变压器的功率MOSFET管驱动电路的动态过程进行了分析,推导了驱动变压器设计参数(绕组电流有效值,变压器功率)的计算方法,定量分析了变压器漏感和电路杂散电感对开通过程的影响,并通过仿真和试验验证了这套计算方法的正确性。
文章论述采用逐步逼近的设计程序,以优化适用于开关电源的变压器的机械、热和电气性能。
新创四方电子推出一种全新的IGBT驱动变压器
门脉冲驱动变压器设计指南