CMOS 互补金属氧化物半导体的缩写 。CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的。
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本文将介绍一种采用了微分(derivative)叠加线性化技术的28GHz CMOS毫米波下变频混频器,以及我们为5G蜂窝通信系统所设计的低耦合源负反馈电感器,以此来改善下变频混频器的线性性能。
在本文中,我们报告了3D电磁电感的设计和测量,该电感嵌入在Si基板中并且可以集成铁芯。通过兼容CMOS的MEMS制造工艺,我们制造出具有良好结构完整性和可重复性的各种电感器设计。电感器的平均电感和品质因数峰峰值变化低于10%,这表明制造工艺是可重复的。
本文介绍了CMOS有源电感集成电路的设计和优化。这种有源电感器采用Silterra0.13μm技术,并使用Cadence Virtuoso和Spectre RF进行仿真。该有源电感的中心频率为2.4 GHz,符合IEEE 802.11 b / g / n标准。为了减小硅芯片尺寸,在低噪声放大器LNA电路中使用有源电感代替无源电感。该电感器通过低噪声放大器电路进行测试和分析。
本文设计一种集成度高、匹配方便的宽带低噪声放大器,而基于宽带匹配的pH 甚至fH 级的电感在现有的集成电路制造及键合水平下将是很严重的瓶颈问题。而且运用较多的电感、电容也是其目前不能大规模应用的重要原因,所以研究基于CMOS工艺的无电感型宽带低噪声放大器具有重 要的学术价值和应用价值。
Peregrine 半导体公司宣布业界第一个真正的直流射频开关上市,UltraCMOS PE42020在一块单片裸片上集成了射频、数字和模拟功能,在直流至8GHz的频带上保持信号健全。
电源效率对于便携式设备和模拟IC的噪声抗扰度来说都非常重要。本文主要介绍电压参考电路,其不仅支持极低的工作静态电流(低于250nA),且还符合标准CMOS工艺。这种电路针对各种应用进行了优化设计,适合便携式电子设备、汽车、医疗设备,及高电源抑制比 (PSRR) 和开关噪声抗扰度都非常重要的片上系统 (SoC)实施。
最近,关于松下新一代无反GX7的传闻越来越密集,大家都在猜测这款相机将采用什么样的传感器技术。据悉,今年6月,富士与松下宣布已成功研发有机CMOS影像传感器技术,该传感器拥有业内最高的88dB动态范围,感光度性能达到传统传感器的1.2倍。
高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Labs (芯科实验室有限公司, NASDAQ: SLAB)今日宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案,可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器(简称光电耦合驱动器)。