MOSFET 器件是一种利用 MOS(金属-氧化物-半导体)效应制成的场效应晶体管。它是一种电压控制的半导体器件,可以通过改变栅极的电压来控制漏极和源极之间的电流。 MOSFET 器件通常由一个 P 型硅衬底、一个 N 型硅沟道和一个金属栅极组成。在栅极上施加一个电压时,它会在硅沟道中形成一个电场,从而影响沟道中电子的流动。这样,就可以通过控制栅极的电压来控制漏极和源极之间的电流。 MOSFET 器件在电路中通常用作开关或放大器。作为开关,它可以快速地打开或关闭电流,从而控制电路的通断。
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意法半导体STRVS重复电压电涌保护器配备工程师优化电路保护功能所需的全部资料信息,并符合成本和能效目标。
万国半导体(AOS)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS (MOS)中压系列旗舰产品,为众多设备追求极致效率提供了解决方案。
便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET? 功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。