Navitas今日发布消息称，公司开发出了世界上第一款用于数据中心应用的8.5kW电源装置(PSU)。

图片来源：Navitas

该电源设计采用了三相LLC拓扑中的砷化镓(GaN)和碳化硅(SiC)晶体管，实现了98%的电源效率，为下一代AI和超大规模芯片提供动力。

54V输出PSU符合开放计算项目(OCP)和开放机架v3(ORv3)规范，并使用650V GaNSafe和650V Gen-3快速SiC MOSFET，配置为三相交错PFC和LLC拓扑，以确保最高的电源效率和性能，同时减少元件数量。

英飞凌今年早些时候展示了采用GaN和SiC的12kW电源设计，凸显了这一设计趋势。

PSU的PFC和LLC均采用三相拓扑（而当前8kW PSU使用的是两相拓扑），可实现电源业界最低的纹波电流和EMI。此外，与最接近的竞争系统相比，PSU将GaN和SiC器件的数量减少了25%，从而降低了总体成本，并实现了84.6W/in3的密度。

这是Navitas今年早些时候推出的采用GaN和SiC器件的4.5kW电源设计。该电源的输入电压范围为180至264Vac，电源待机输出电压为12V，电源工作温度范围为-5oC至45oC。8.5kW时的保持时间为10毫秒，通过延长器可达到20毫秒。

3相LLC拓扑由高功率GaNSafe实现，该电源技术专为高功率应用（例如AI数据中心和工业市场）而设计。它集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，可提供电源短路保护，最大延迟为350ns，所有引脚均具有2kV ESD保护，消除了负栅极驱动，并具有可编程的斜率控制。所有这些电源应用功能均通过4引脚控制，因此可以将封装视为分立式GaN FET，无需VCC引脚。

GsNsafe电源应用设备适用于1kW至22kW的电源应用，TOLL和TOLT封装的650V GaNSafe的最大RDS(on)为25至98mΩ。

三相交错电源连续电流模式(CCM)TP-PFC功率因数校正前端由采用沟槽辅助平面技术的Gen-3快速SiC MOSFET供电。

Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“这种完整的GaN和SiC宽带隙解决方案使Navitas的AI电源路线图得以延续，该电源路线图实现了8.5kW功率，并计划在近期内将功率提高到12kW及更高水平。”“全球多达95%的数据中心无法满足运行NVIDIA最新Blackwell GPU的服务器的功率需求，这凸显了电源应用生态系统的准备不足。这种电源设计直接解决了AI和超大规模数据中心的这些挑战。”

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