宽禁带半导体材料是指禁带宽度大于2.3电子伏特的半导体材料。这些材料具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热导率等优点,因此在电力电子领域得到广泛应用。 宽禁带半导体材料包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等。这些材料具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热导率等优点,因此在电力电子领域得到广泛应用。 在宽禁带半导体材料的应用中,SiC和GaN是最常用的两种材料。SiC具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热导率等优点,因此在电力电子领域得到广泛应用。GaN具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热
有关“宽禁带半导体材料”的最新话题,搜索579 次
哔哥哔特商务网是电子制造业产业链信息交流的平台,分享和剖析电子制造业上下游新技术、新产品资讯;通过“走进企业”、“对话”、“拆解”、“市场解读”、“产业分析”“研讨会专栏”等栏目进行行业深度解读,及时提供线下专业研讨会、峰会论坛、线上会议、直播等行业活动资讯。