晶圆级芯片制造的关键技术包括光刻技术、薄膜沉积技术、蚀刻技术、离子注入技术等。其中，光刻技术是将电路图案映射到晶圆表面的关键步骤，主要涉及到光掩膜、光刻胶、硅片曝光等过程。薄膜沉积技术是在晶圆表面沉积一层薄膜，用于制作电子元件的关键技术，常见的方法有化学气相沉积、物理气相沉积等。蚀刻技术用于去除晶圆表面材料，以形成电路图案和微结构。离子注入技术是将杂质离子注入到晶圆中，以改变材料的导电性质，从而制造出不同功能的半导体芯片。 在制造过程中，还需要进行CMP（化学机械抛光）、清洗、热处理等步骤，以确保芯片
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