碳化硅（SiC）技术主要是围绕碳化硅这种宽带隙半导体材料展开的一系列技术。碳化硅是一种由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料，具有优异的物理和化学性质。 特性： 高击穿电场强度：碳化硅的击穿电场强度是硅的 10 倍左右，这使得它能够承受更高的电压而不发生击穿现象。例如，在高压电力电子设备中，碳化硅器件可以在更高的电压下稳定工作，从而提高系统的功率密度和工作效率。 高导热率：碳化硅的导热率是硅的 3 - 4 倍，良好的热导率有助于器件在工作过程中快速散热，降低器件的工作温度，从而提高器件的可靠性和寿
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