金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,简称MOS)是一种广泛应用于集成电路中的半导体材料,具有高绝缘性和可变电容等特性,被广泛用于制造各种晶体管和其他电子元件。 MOS的物理结构特殊,通常由金属、有机物、氧化物和晶体硅组成,当主要元素是金属氧化物时,该结构的性能会更好。大多数MOS都是三层结构,上、中、下三层分别由金属、有机物和氧化物组成。它具有良好的电气性能,以及抗频率、噪声和静电波扰的能力,同时具有良好的化学稳定性。
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太阳能(PV)三级逆变器(Three Level Inverter)设计架构正快速崛起。大多数逆变器业者已计画在今年扩大导入三级拓扑结构,提升金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)切换频率与导入数量,以取代传统的二级拓扑逆变器设计,减轻能源转换的耗损,更进一步提高1%以上电源转换效率。