闪存设备（Flash Memory Device）是一种非易失性存储设备，即使在断电的情况下也能保留存储的数据。它基于闪存技术，通过电信号来控制闪存芯片内部的晶体管存储和读取数据。 其基本原理是利用浮栅晶体管（Floating - Gate Transistor）。在闪存芯片中，每个存储单元包含一个浮栅晶体管。当向浮栅中注入电子（编程操作）时，晶体管的阈值电压会发生改变，这种改变可以用来表示数据 “0” 或 “1”。例如，在写入数据时，如果要存储 “0”，就向浮栅注入足够的电子，使阈值电压升高；如果要存
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