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为了能够持续保有竞争力,除了募资、投入资本支出以及制程转进外,今年各DRAM大厂除了积极从2Gb颗粒转入4Gb颗粒,制程上亦切入30nm制程甚至20nm制程,并冀望在价格跌价时加快成本樽节以度过景气寒冬。