FRAM 存储器，即铁电随机存取存储器（Ferroelectric Random Access Memory），是一种非易失性存储器，具有独特的性能特点和广泛的应用领域，工作原理 FRAM 利用铁电晶体的铁电效应来实现数据存储。铁电晶体在电场作用下，其中心原子会发生位移，形成极化电荷，从而呈现出两种稳定的极化状态，分别对应存储数据的 “0” 和 “1”。当电场移除后，晶体的极化状态能够保持不变，因此数据得以长期保存，无需持续供电
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