MOSFET 是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。它由一个金属氧化物半导体(MOS)结构组成,其中半导体材料(通常是硅)与金属(通常是铝)和氧化物(通常是二氧化硅)层交替排列。 MOSFET 可以作为开关使用,因为它具有快速开关能力。当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET 处于关闭状态,电流无法通过。当栅极电压超过阈值电压时,MOSFET 处于打开状态,电流可以通过。这种开关行为可以通过控制栅极电压来实现,使得 MOSFET 成为许多电子系统中的关键部件。
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现代电子设备的多功能化,需要为其不同的功能单元提供不同的直流(DC)电压。这种情况下,一般是使用内部电路通过升压或降压的方式变换电压,为电子设备中负责不同功能的单元供电。由于供电单元较多,故降低电源在变换过程中的功率损耗是十分重要的设计任务。采用以电感为基础的电压变换拓扑。搭配以小讯
现在利用TL494组成400W大功率稳压逆变器电路,它的激式变换部分是采用TL494和VT1、VT2、VD3、VD4一起构成灌电流驱动电路,驱动两路各配两只60V/30A的MOSFET开关管。需提高输出功率时,每路可采用3~4只开关管并联使用,整体电路也不变。TL494在逆变器中的应用方法如下: