SiC肖特基二极管是一种利用肖特基势垒制成的半导体器件，其结构通常包括P型或N型SiC基片、肖特基接触层和欧姆接触层。SiC材料具有禁带宽度大、电子饱和迁移率高、热导率高、化学稳定性好等优点，使得SiC肖特基二极管具有高耐压、高导通电阻、低功耗等优良特性，被广泛应用于功率电子、快充、太阳能逆变器等领域。 在SiC肖特基二极管中，肖特基接触层通常采用金属与SiC的冶金结合方式制成，其结构对器件性能具有重要影响。同时，欧姆接触层也是SiC肖特基二极管的重要组成部分，它能够提供良好的导电性能，使得电流能够有
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