薄膜太阳能极具前景，转化率为其中关键
2007-02-05 17:48:26
来源：半导体国际
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薄膜太阳能市场被视为下一代太阳能产品，主要在于其生产成本具竞争力，受多晶硅料源的限制又较小，一旦能顺利量产，必能加速全球太阳能产品的普及化，但不论是何种薄膜太阳能电池，目前最需解决的课题即是其转换率。
太阳能业者表示，大量量产问题是目前所有薄膜太阳能电池该突破的，转换率普遍低也是薄膜仍未普及的关键因素，虽然目前太阳能电池计价均以转换率为基础，目前传统单、多晶结晶硅太阳能电池约有16～18%转换率，薄膜太阳能电池平均约8～10%，但以架设所需的单位面积来看，薄膜太阳能就需要相对大的场地，相关系统安装费用也会变高。
目前主流的结晶硅太阳能产品，因受多晶硅材料的缺乏，使成长受限，而在全球需求快速成长的刺激下，也进一步激起对多晶硅依赖度低的薄膜太阳能快速发展，一般预估薄膜太阳能可望于2010年开始发展，并将逐渐步入较成熟阶段。
与传统的结晶硅太阳能电池相较，薄膜太阳能电池种类甚多，包括非晶硅（amorphous silicon；a-Si）、微晶硅(Nanocrystalline Silicon，nc-Si)、铜铟硒化物（CIS/CIGS）、碲化镉(CdTe)、多结砷化镓（Multijuction GaAs）、色素敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell)、有机导电高分子(Organic/polymer solar cells) 等。
其中a-Si在薄膜太阳能电池的市场占有率约3～4成，包括龙头的日本Kaneka目前年产能约30百万瓦（MWp），2008年将达70MWp，美国United Solar目前年产能约25MWp，预估2007年达50MWp，2010年达300MWp，均以生产a-Si为主。
1980年代a-Si是唯一商业化的膜薄太阳能电池，目前在薄膜太阳能的市场占有率虽最高，不过转换效率约10%，一般预估若无法突破其转换率，未来市场占有率将会持续下降，而CIGS实验室阶段转换率可达19%，被认为具有未来发展性，而多数应用于外太空的Multijuction GaAs，实验室阶段转换率可达41%。
若以全球第一大太阳能电池厂兼面板大厂的日本夏普（Sharp）来看，除了传统结晶硅外，在薄膜太阳能领域则是多方涉略，包括a-Si、Multijuction GaAs等多元化方向进行。
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