三星电子全球首家大量生产20纳米级移动存储器
2012-05-25 16:18:26
来源：北京晨报
摘要： 日前，三星(微博)电子发布，其全球首家批量生产20纳米级(1纳米=10亿分之一米)工艺的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM，旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。
日前，三星(微博)电子发布，其全球首家批量生产20纳米级(1纳米=10亿分之一米)工艺的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM，旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。
三星电子为满足消费者的需求，继2012年3月开始批量生产20纳米级8GB DDR3笔记本电脑模块， 4月又开始批量生产20纳米级4Gb LPDDR2 DRAM，从而成了拥有业界最大高端4Gb DRAM生产线的厂商。
据了解，20纳米级4Gb DRAM产品群，不仅能够提供全球最为“超薄”、“大容量”、“高性能”的手机解决方案，而且其最小的芯片尺寸，可实现超薄设计。新一代20纳米级4Gb移动DRAM四颗粒堆叠封装组成的16Gb(2GB)产品相比30纳米4Gb DRAM四颗粒堆叠封装产品，其厚度更薄，最高速度可达1，066Mbps，并保持相同的电耗。
三星电子2011年3月开始批量生产了30纳米级存储器。此次业界首家批量生产最小尺寸20纳米级。此举意味着三星电子将继续引领移动存储市场的领先地位。
三星电子存储器事业部战略营销部洪完勋副社长表示，“2011年三星电子凭借业界首家批量生产30纳米级4Gb DRAM，扩大了4Gb DRAM市场份额。今年，则通过20纳米级4Gb的批量生产，有望实现进一步差异化高端存储器市场目标。今年下半年，将继续加大20纳米级DRAM的比重， 逐渐把4Gb DRAM提升为主力产品，从而抢占高端市场，加强竞争优势。”
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