摘要：  日前，德州仪器(TI)宣布推出三款支持高效率及高功率密度的宽泛输入电压同步升压控制器。LM5122Q多相位升压控制器可提供业界最宽的输入输出电压范围，而低静态电流TPS43060与 TPS43061升压控制器则支持1 MHz工作频率，采用小型QFN封装。

关键字：  TI，升压电源，同步升压控制器

日前，德州仪器(TI)宣布推出三款支持高效率及高功率密度的宽泛输入电压同步升压控制器。LM5122Q多相位升压控制器可提供业界最宽的输入输出电压范围，而低静态电流TPS43060与 TPS43061升压控制器则支持1 MHz工作频率，采用小型QFN封装。

与非同步升压控制器相比，TI最新同步升压控制器可通过采用同步开关代替续流二极管将效率提高达 10%。无损电感 DCR电流传感可进一步提高效率，减少热耗散，从而可节省板级空间，降低材料清单成本。每款升压控制器都支持热关断、频率同步、打嗝模态电流限制以及可调线路欠压锁定功能。

LM5122Q是一款符合AEC-Q100标准的同步升压控制器，支持3 V至65V输入电压与高达100V 的输出电压范围。该控制器可便捷进行配置，支持交错式多相位工作，从而可充分满足启停电压稳定器、高功率音频放大器等高功率应用需求。强大的 3 A 栅极驱动电路支持高达 16 V 的电压，可为调节升压 DC/DC 满足效率及尺寸要求实现高度的灵活性。

TPS43060 与 TPS43061 是低静态电流同步升压控制器，支持 4.5 V 至 38 V 输入电压以及高达 60 V 的输出电压范围。TPS43060 可提供 7.5 V 栅极驱动，可驱动各种低成本 MOSFET，而 TPS43061 则提供 5.5V 栅极驱动，针对 TI CSD86330Q3D 同步降压 NexFET 功率块等低 Qg MOSFET 进行了优化，可节省达 50 平方毫米的电路板面积。其应用包括平板电脑及笔记本电脑 USB 充电适配器以及工业测试测量设备等。

同步升压控制器归属TI 升压电源产品系列。该系列还包括集成60毫欧姆MOSFET 的 40 V 升压转换器 TPS55340。

LM5122Q 升压控制器的主要特性与优势：

· 100 V 输出范围与 65 V 输入范围可简化高电压设计;

· 交错式多相位工作可便捷实现高功率密度;

· 旁路特性可在不需要升压功能时实现输入到输出的穿透;

· 用户可选二极管仿真可在轻负载条件下提高效率。

TPS43060 与 TPS43061 升压控制器的主要特性与优势：

· 500 uA 静态电流支持电池供电应用;

· 高达 1 MHz 的工作频率允许使用小型电感器与陶瓷电容器，可缩小整体解决方案尺寸;

· - 40 摄氏度至 150 摄氏度的工作结温可在较高温度环境下实现高稳健性能。

供货情况与封装

采用 3 毫米 × 3 毫米 × 0.75 毫米、16 引脚 QFN PowerPad 封装的 TPS43060 与 TPS43061 现已开始批量供货。

采用 6.5 毫米 × 4.4 毫米 × 0.9 毫米、20 引脚 TSSOP 封装的 LM5122Q 预计将在今年第 2 季度提供样片并投入量产。