过去48小时，一颗米粒大小的电感元件，被推到了聚光灯下。

10月12日早间，财联社一则电报让中信建投"多相TLVR芯片电感是大势所趋、AI芯片电感2025到2028年市场规模扩容10倍以上"的判断再度刷屏。

图 / 财联社

而就在几天前，AI电源产业链迎来了另一条消息。

美国当地时间10月9日，美国国际贸易委员会（USITC）应美国电源厂商Vicor的申请，对特定垂直供电系统（VPD）、相关组件及包含这些产品的计算系统启动337调查。立讯精密、工业富联，以及台达电子、英飞凌、MPS等企业被列为被调查方。

与此同时，10月12日，OCP全球峰会在美国圣何塞开幕，800VDC、垂直供电、兆瓦级机架正是本届电源议题的主线。

要知道VPD是给AI芯片供电的一种架构，AI芯片电感则是这套供电系统中的关键器件。VPD的发展，会直接影响AI芯片电感放在哪里、做成什么样，以及需要具备什么性能。

如今，当整条 AI 产业链都在为算力、资本和下一代架构而狂飙时，或许更应该低下头来应该好好审视这颗不起眼的关键元件。

起点正是AI芯片架构不断升级所带来的功耗提升。

据研报援引英伟达相关资料，单芯片的散热设计功耗（TDP）从V100的300W、H100的700W，一路升到B200的1000W、Rubin的2300W、Rubin Ultra的2700W，规划中的Feynman进一步上行到约3600W。

Rubin超级芯片 / 英伟达

而核心电压不升反降（GPU核心电压约1V附近），结果就是供电电流暴涨。

行业测算，AI主板供电电流已被推到约2500A，未来要冲击5000到6000A量级。

电流越大，三次电源（给GPU/CPU/ASIC等芯片直接供电的最后一级）就越要同时解决四件事：导通损耗、散热、主板空间拥挤，以及负载在纳秒级从待机跳到满载时的电压跌落。

市场已经验证，单纯"堆电容兜底"的办法难以适配需求，供电架构正沿三条线升级：

 

趋势一，单相走向多相。

 

多相VRM把一路大电流拆给十几、二十几相分担，每相都有独立驱动和AI芯片电感。

 

研报给出的口径是，高功耗GPU的供电相数已从过去的6到12相提升到20相以上；以GB200芯片为例，核心供电通常配置18到24相、每相对应一颗AI芯片电感，整块供电模组上的大电感数量超过40颗，约为传统方案的两倍。

 

趋势二，水平供电走向垂直供电。

 

传统水平供电（LPD）把VRM铺在芯片四周的主板上，大电流要走完PCB上"最后一英寸"，路径长、损耗大、还占地方；垂直供电（VPD）把变压模块直接竖到芯片正下方甚至背面，缩短供电路径。

 

据产业资料，垂直方案可把电源模块体积压缩到原来的三分之一到二分之一。

 

趋势三，传统多相稳压引入TLVR。

 

TLVR全称"跨电感稳压器"。它不是简单多放几颗电感，而是将各相次级绕组与补偿电感串联形成闭合回路，以改善负载瞬变时的响应。

 

打个比方：传统多相是每层楼各用各的水箱，TLVR则把水箱连成管网，哪一层瞬时用水量大，其他层能立刻补水——于是在负载从200A阶跃到1000A时，电压跌落更小、回到参考值更快。

 

TLVR电感 / 麦捷科技

 

这里要搞清楚VPD与TLVR的关系。

VPD回答的是"电源摆在哪里"，是一种物理架构；TLVR回答的是"多相电感如何耦合"，是一种电路拓扑和一类耦合电感。它们是两条可以独立演进、又在AI服务器里交汇的升级线。

这次Vicor发起337调查所主张的，是垂直供电系统的专利，并不是TLVR这个拓扑本身；只不过VPD架构往往大量采用TLVR或垂直电感，两类厂商的供应链因此被绑在了同一根绳上。

研报测算，全球AI芯片电感市场的"全球合计"口径是：2025年约25.1亿元，2026年约60.4亿元，2027年约148.3亿元，2028年约312.5亿元，扩容10倍以上。

图 / 磁性元件与电源

核心正是受到以下三点因素影响：

• 一是"数量通胀"：AI芯片出货增加，供电相数增加，电感颗数随之上量。

   

• 二是"功率通胀"：单AI芯片功耗走向两三千瓦，单位AI芯片需要的电感用量增加。

   

• 三是"价值通胀"：AI芯片电感从分立立式转向多相、再转向TLVR耦合电感和VPD模块式电感，制作难度和单颗价值量台阶式抬升。

三层叠加，才得出那条陡峭的曲线。

而价值量的抬升也有公司口径。铂科新材在投资者关系活动中表示，其模块式电感单位价值量约为分立式电感的2到3倍，而模块式电感主要配合下游垂直供电架构、目前多用于ASIC芯片；

另有产业媒体测算，TLVR方案整体AI芯片电感价值量通常是普通电感的2倍以上、常见3到5倍。中信建投9月14日金属新材料报告的标题，更是直接写成《多相TLVR电感成为产业趋势，价值量超三次电源高容MLCC》。

供需层面的紧张也在为这条曲线做注脚。

据行业媒体和渠道调研，高端AI芯片TLVR耦合电感交期普遍拉长到8到10个月，订单能见度排到2027至2028年，渠道"缺口"估算40%到80%、分歧较大。

这些虽非统一口径，但"高端料号供不应求、交期拉长"方向多源一致。

讲完市场前景，落到最关键的问题：中国厂商到底在什么位置？

要知道AI芯片电感是三次电源的核心元器件，且非标定制、高频迭代，"材料决定器件性能"，而材料—器件一体化布局的公司壁垒更高、客户绑定更深。

以往传统功率电感长期由日本、中国台湾厂商主导，而在AI芯片电感这条新赛道，中国大陆厂商正以"磁粉自制＋快速定制"快速卡位。

以麦捷科技（300319）为例，作为大陆一体成型电感龙头企业，公司收购安可远，参股中科宏晶后具备高端金属软磁材料自研能力。

图 / 麦捷科技

同时TLVR耦合电感、大电流一体成型电感批量供应国内外头部算力厂，铜铁共烧产品适配摩尔线程、天数智芯等国产GPU，进入浪潮、超聚变、H3C批量清单；

相关公告显示，公司已获得英伟达平台研发项目的开放权限，部分一体成型、铜铁共烧电感料号 "实现小批量试产"，有望进一步抢占市场份额。

与此同时，顺络电子、铂科新材、横店东磁以及龙磁科技等头部厂商也在持续跟进。

而在海外阵营，大致分为两层。

上层是材料与专利的 "卡位者"。 例如美国 Vicor 手握垂直供电（VPD）模块与基础专利，既是供应商、又是此轮 337 调查的原告，走 "模块＋专利授权" 路线，某种程度上在定义下一代供电的规则。

下层是大电流磁件主力。 村田、TDK 等日系厂在高端一体成型与薄膜功率电感上积累深厚，据行业媒体报道村田自 2026 年 4 月起对AI芯片电感等高端料号涨价 15%–35%，掌握高端产能与定价主动权；

美国威世Vishay（大电流一体成型 / 耦合电感）、线艺Coilcraft（耦合电感与垂直供电配套方案）也在长期盘踞服务器与车规高端市场。

综合来看，海外厂商强在高端磁材、长期服务器 / 车规认证积累；中国大陆厂商的比较优势在产业链整合带来的成本与响应速度、以及与国内算力客户的快速协同定制，短板则集中在海外终端认证、专利布局和标准话语权。

“十倍增长”描绘的是市场空间，落到每一家磁企身上，还要靠产品、交付和客户验证去兑现。而这场AI芯片供电专利争议也提醒行业：参与全球竞争，需要看懂的已经不只是单一产品的参数，还有它所在的整套方案。

当供电架构持续迭代，今天的优势产品，未必就是下一代方案的首选。对中国磁企而言，值得追问的是：当客户开始设计下一代AI芯片供电方案时，我们是在等一张新的规格书，还是已经参与其中？