Microsemi新发布DRF1400功率MOSFET
2012-06-06 19:37:54
来源：21ic
摘要： 美高森美公司宣布扩展其RF功率产品线，推出了DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗(ISM) 领域的RF发生器中使用，例如用于半导体、LCD和太阳能电池制造的等离子生成，以及工作频率高达30 MHz 的CO2激光器。
美高森美公司宣布扩展其RF功率产品线，推出了DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗(ISM) 领域的RF发生器中使用，例如用于半导体、LCD和太阳能电池制造的等离子生成，以及工作频率高达30 MHz 的CO2激光器。
美高森美的DRF系列是将RF栅极驱动器、RF功率MOSFET和相关旁路电容器集中封装在一个高效热性能封装的产品。DRF1400是美高森美首款采用半桥拓扑结构的器件，在输出功率为1kW时效率优于92%，此外，较低的寄生电容和电感，以及施密特(Schmitt)触发器输入、开尔文(Kelvin)信号地线、防振铃功能、反相和同相(non-invert)引脚可选择等附属功能，为kW到数千瓦的高频ISM的应用提供了高稳定性和灵活的控制功能，高集成度还可缩减材料清单(bill-of-material)元件数目和降低成本。其它特点包括：
内部集成了RF驱动器，可以简化驱动级设计，允许输入简单的逻辑信号；
内部的旁路电容器，可以减少寄生电感并能保证电源电压的稳定；
采用高击穿电压(500V) MOSFET，通过半桥拓扑实现较高的功率输出；
采用具有高效散热性能的专有封装，能够提供高达1.4 kW的输出功率。
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