发光二极管（LED）芯片技术
高亮度和高效率芯片技术：
量子阱结构优化：通过改进量子阱的结构和材料，如采用多量子阱结构，可以有效提高 LED 芯片的内量子效率。例如，在氮化镓（GaN）基 LED 中，合理设计量子阱的宽度、深度和势垒高度，能够使电子和空穴在量子阱内更有效地复合发光，从而提高发光效率。这种技术使得 LED 的亮度能够满足从室内照明到户外强光照明等多种场景的需求。
有源区掺杂技术：精确的有源区掺杂是提高 LED 性能的关键。通过选择合适的掺杂元素和掺杂浓度，可以改变有源区的电学和光学性质。
