制造工艺特点
掺杂技术：超快恢复二极管在制造过程中采用特殊的掺杂工艺。通过精确控制杂质原子的注入，改变 P - N 结附近的载流子分布。例如，在 P 型半导体和 N 型半导体的交界处，适当增加某些施主杂质或受主杂质的浓度，以减少少数载流子的存储时间。这种精准的掺杂有助于加快二极管从正向导通到反向截止的转换过程。
结构设计：其结构上也有独特之处。一些超快恢复二极管采用了外延层生长技术，在 P - N 结基础上生长一层具有特定性能的外延层。这个外延层可以作为缓冲区域，在反向偏置时有效地吸收和驱散存储在 P
