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#通用IGBT

IGBT,全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成。它综合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统,如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 尽管通用公司最先研发出IGBT,但由于公司内部投资形势不太乐观,以及其他厂商如西门子、三菱、富士等对I

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