FD-SOI，即全耗尽型绝缘体上硅，是一种独特的半导体工艺技术，专为混合信号应用而设计。其结构上的优势使晶体管的静电特性优于传统体硅技术，主要体现在埋氧层可以降低源极和漏极之间的寄生电容，有效抑制电子从源极流向漏极，从而大幅降低导致性能下降的漏电流。 FD-SOI还具有许多其他方面的独特优点，如具有背面偏置能力、极好的晶体管匹配特性、可使用接近阈值的低电源电压、对辐射具有超低的敏感性，以及具有非常高的晶体管本征工作速度等。这些特性使得FD-SOI能够工作在毫米波频段的应用中。
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