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本文介绍了GMI（巨磁阻抗）效应的起源、理论方法以及基于GMI效应电流传感器原理。讨论了GMI电流传感器敏感材料选择标准，列出了能够产生GMI效应的各种材料以及这些材料的软磁特性。叙述了国内外典型的 GMI电流传感器设计方案和它们的优缺点。
通过直流溅射法在Co基非晶薄带(Co66Fe4NiSi15B14)上制备不同厚度的CoFe薄膜层，观察其巨磁阻抗效应(GMI)在120kHz~3MHz频率范围内随外加磁场的变化。实验结果显示：在Co基非晶薄带上涂覆CoFe薄膜，可以提高薄带的GMI效应。研究发现，当趋肤效应显著时材料表面粗糙度对GMI效应有较大影响。通过在Co基非晶薄带表面镀膜的方式降低样品表面粗糙度，减小表面退磁场的影响，并且闭
本文介绍了GMI（巨磁阻抗）效应的起源、理论方法以及基于GMI效应电流传感器原理。讨论了GMI电流传感器敏感材料选择标准，列出了能够产生GMI效应的各种材料以及这些材料的软磁特性。叙述了国内外典型的GMI电流传感器设计方案和它们的优缺点。最后展望了GMI电流传感器发展趋势，指出薄膜探头是传感器微型化发展的一个方向。
