SiC功率模块是一种新型的半导体功率器件，其内部构成包括碳化硅材料、封装壳体、电极连接和散热结构等部分。其中，碳化硅材料是SiC功率模块的核心组成部分，具有优异的特性，如高电子迁移率、高热导性能、高耐压能力等，使得SiC功率模块能够在高温、高压、高频和高功率等环境下工作，大大提高工作效率和可靠性。 SiC功率模块的主要作用是提高电控效率、续航能力和功率密度。其原理是采用先进的工艺和技术，如纳米银烧结工艺和Cu clipbonding工艺，降低连接层热阻，提高可靠性寿命，增强散热性能，降低芯片的温升。
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