功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种用于切换和控制电力的功率半导体器件。它通过在金属氧化物半导体(MOS)结构中利用电场效应来控制电流流动。功率 MOSFET 通常用于开关电源、电机控制、电池充电器等应用。 功率 MOSFET 的主要特点包括: 1高开关速度: 2低导通电阻: 3高输入阻抗: 4 高耐压: 功率 MOSFET 的主要缺点是在高电流和高电压下容易产生开关损耗,这会导致功率MOSFET 发热。
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电源模块是置于印刷电路板(PCB)上某个封装内的独立元件,其中包含整个开关电源(含电感)。脉宽调制(PWM)控制器、MOSFET驱动器、功率MOSFET、反馈网络和磁性元件都包含在同一个封装内。
功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用,此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中,本文将会就这一功率器件的另一种应用方式,即有隔离变压器存在的互补驱动电路,进行简要分析。
摘要 –当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时,体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时,集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。
本周,新能源领域仍有新发展,磁组件行业可重点关注。半导体器件方面,德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N沟道功率MOSFET。以下是本周大比特商务网一周要闻回顾。
电源作为一切电子产品的供电设备,除了性能要满足供电产品的要求外,其自身的保护措施也非常重要,一旦电子产品出现故障时,如电子产品输入侧短路或输出侧开路时,则电源必须关闭其输出电压,才能保护功率MOSFET和输出侧设备等不被烧毁,否则可能引起电子产品的损坏,甚至引起操作人员的触电及火灾。
一旦电子产品出现故障时,如电子产品输入侧短路或输出侧开路时,则电源必须关闭其输出电压,才能保护功率MOSFET和输出侧设备等不被烧毁,否则可能引起电子产品的进一步损坏,甚至引起操作人员的触电及火灾等现象,因此,开关电源的过流保护功能一定要完善。
东芝公司宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。
日前,Vishay Intertechnology宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
东芝公司(Toshiba Corporation) 日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。