Vishay新型MOSFET的整合简化了降压稳压器设计
2003-03-10 17:19:02
来源：电子工程专辑
Vishay Siliconix推出五款MOSFET，设计用于简化高频降压稳压器中的N信道MOSFET。整合了驱动电路的N信道Si4738CY(20V)、Si4770CY (20V)、Si4724CY (30V)、Si4732CY (30V)和Si4768CY (30V)同步MOSFET是为延长电池寿命并提高功效而设计。
这些产品适用于CPU核心、图像控制及芯片组的高频多相dc/dc开关电源，也可作为各种系统的辅助电源，如桌上型计算机、服务器、工作站、笔记型计算机、平板计算机(tablet PC)和固定电信系统的POL应用。这些半导体组件在SO-16封装中整合了两个MOSFET和一个驱动器，降低了闸驱动损耗，提高开关频率，简化了电路板设计，降低控制器方案的复杂性。
Si4724CY还整合了萧特基二极管，进一步减少了PC板上的组件数目。其效率优于MLF/QFN/Power Block封装，占用面积减少了38%。这些组件已有样品提供，并投入量产。
这些产品适用于CPU核心、图像控制及芯片组的高频多相dc/dc开关电源，也可作为各种系统的辅助电源，如桌上型计算机、服务器、工作站、笔记型计算机、平板计算机(tablet PC)和固定电信系统的POL应用。这些半导体组件在SO-16封装中整合了两个MOSFET和一个驱动器，降低了闸驱动损耗，提高开关频率，简化了电路板设计，降低控制器方案的复杂性。
Si4724CY还整合了萧特基二极管，进一步减少了PC板上的组件数目。其效率优于MLF/QFN/Power Block封装，占用面积减少了38%。这些组件已有样品提供，并投入量产。
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