日本精工的N沟道MOSFET可将DC/DC稳压器效率提高3%
2003-07-07 09:46:17
来源：国际电子商情
S-90N系列是日本精工电子有限公司(SII)首款N沟道MOSFET产品。该产品具备低通态电阻特点，可使DC-DC稳压器的效率提高3%，因而可实现长寿电源的理想，使笔记薄计算机及手提电话等便携式产品之电池寿命增长。此外，小型封装SON-5令产品体积更轻巧，使设计更富灵活性。
SII称，该产品若配合SII升压DC-DC稳压器使用，效果更佳。该产品的工作电压为1.5V，采用的封装型式有SON-5、SOT-23和SOT-89等。其低Ciss为90pF至390pF，VDSS为20V或30V。
SII称，该产品若配合SII升压DC-DC稳压器使用，效果更佳。该产品的工作电压为1.5V，采用的封装型式有SON-5、SOT-23和SOT-89等。其低Ciss为90pF至390pF，VDSS为20V或30V。
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