三星发布首款14nm FinFET测试芯片
2012-12-25 11:39:09
来源：搜狐数码
点击：2038
摘要： 在确认将会在明年扩展芯片制造设备规模之后，三星公司又发布了该公司第一款14nmFinFET(鳍式场效晶体管)测试芯片。
12月25日消息，在确认将会在明年扩展芯片制造设备规模之后，三星公司又发布了该公司第一款14nmFinFET(鳍式场效晶体管)测试芯片。
这款芯片采用了全新的设计(同英特尔IvyBridge硬件设备上的Tri-Gate设计也不同)。同原有的设计相比，新的设计方案不但能更节能，而且可带来较大的性能提升。电流泄露情况也将有显著改善。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论