晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能
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面对社会的需要和系统调节要求,电源的效率都是电子系统中优先考虑的因数,尤其是从电动汽车(EV)到高压通讯,以及工业基础设施整个应用范围,电源的转换效率和功率密度,对于一个成功的设计来说都是关键。
作为新型半导体材料功率器件的代表,碳化硅双极结型晶体管(SiC BJT)相较硅基晶体管有许多独特的优势,如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题,在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景。但其作为电流型器件
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关晶体管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
普莱默公司针对这一应用开发了一种新型高隔离栅极驱动变压器。GDAU系列产品是符合控制MOS晶体管要求的小尺寸绝缘SMD变压器最优推荐品。这款高度小于8mm的产品可却确保3kV的绝缘水平以及大于5mm的爬电距离。特殊绝缘线和特殊结构的使用,降低了寄生元件的参数。
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中,与MOSFET相比,双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中,成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由。
安森美半导体电源分立分部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“GaN晶体管为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来了性能飞跃。随着更多工程师熟悉氮化镓器件的优势,基于GaN的产品需求将快速增长。安森美半导体和Transphorm正工作于新的发展前沿,并加速市场的广泛采纳。”
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面,它可以实现很高的功率密度,从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提高能效的关键。
晶体管直流变换器
中、小容量逆变器一般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压逆变电路三种,推挽电路,将升压变压器的中性插头接于正电源,两只功率管交替工作,输出得到交流电力,由于功率晶体管共地边接,驱动及控制电路简单,另外由于变压器具有一定的漏感,可限制短路电流,因而提高了电路的可靠性。
碱性电池充电器电路是晶体管的特别连接法,通过不断振荡把积累在电容器里的电荷传送到电池。为了设定正确的电 压,需要连接一个没用过的电池并且调整电容器直到振荡开始,然后停一下直到没有振荡产生,电路已经准好备工作,指定的晶体管、彩色LED、齐纳电压和额 定功率,它们将决定通过电池的最终电压。