绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种由双极晶体管和绝缘栅场效应晶体管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它具有驱动功率小、饱和压降低、安全工作区域宽等优点，被广泛应用于各种领域，如电机控制、新能源发电、智能电网、轨道交通等。 IGBT的结构包括栅极、集电极和发射极，其中栅极是控制输入端，集电极是输出端，发射极是接地端。它的工作原理是利用输入信号来控制集电极和发射极之间的电流，从而实现电压和电流的调节。
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