绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor,IGBT)是一种由双极晶体管和绝缘栅场效应晶体管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它具有驱动功率小、饱和压降低、安全工作区域宽等优点,被广泛应用于各种领域,如电机控制、新能源发电、智能电网、轨道交通等。 IGBT的结构包括栅极、集电极和发射极,其中栅极是控制输入端,集电极是输出端,发射极是接地端。它的工作原理是利用输入信号来控制集电极和发射极之间的电流,从而实现电压和电流的调节。
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全称为绝缘栅双极晶体管,作为逆变焊机中高频逆变的主要开关器件,其性能的优劣将直接影响焊机整体表现。随着国内工艺水平和设计能力的提升,国产IGBT开始进入焊机领域。
国际整流器公司推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT) 系列,针对工业电机驱动及不间断电源(UPS) 应用进行了优化。
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 近日提升绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 选型工具的性能,以优化多种应用的设计过程,包括马达驱动器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器及焊接等应用。
日前,德州仪器(TI)宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管(IGBT)与碳化硅(SiC)FET的35V单通道输出级电源管理栅极驱动器。
IR近日扩充600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D和IRGP4660D,这些经过优化的新器件尤为适合不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业电机和焊接应用。
ST绝缘栅双极晶体管能降低开关电源损耗