晶体（crystal）是由大量微观物质单位（原子、离子、分子等）按一定规则有序排列的结构，因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。
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面对社会的需要和系统调节要求，电源的效率都是电子系统中优先考虑的因数，尤其是从电动汽车（EV）到高压通讯，以及工业基础设施整个应用范围，电源的转换效率和功率密度，对于一个成功的设计来说都是关键。
见证历史了？韩国科研团队发现常压室温超导体LK-99晶体，该材料将引发一场科技革命还是噱头？对磁性材料又有何影响？
本文主要介绍了五种类型的滤波器分别是：LC滤波器、介质滤波器、腔体滤波器、晶体滤波器、声表滤波器；而滤波器的选择最重要的是考虑它们的使用环境，是需要带外抑制高、矩形系数好、插损小、还是宽窄问题。
取生产线同一烧板TSR10材质T25×15×10产品，进行抛光时间实验，讨论不同抛光时间对样品电感量、电感温度特性及抗外加应力特性影响；结果表明：在抛光过程中，造成样品内部存在残余应力，并且随抛光时间的延长，残余应力累积，导致多晶体内部结构发生形变，磁晶各向异性常数K1发生变化。
作为新型半导体材料功率器件的代表，碳化硅双极结型晶体管（SiC BJT）相较硅基晶体管有许多独特的优势，如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题，在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景。但其作为电流型器件
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
普莱默公司针对这一应用开发了一种新型高隔离栅极驱动变压器。GDAU系列产品是符合控制MOS晶体管要求的小尺寸绝缘SMD变压器最优推荐品。这款高度小于8mm的产品可却确保3kV的绝缘水平以及大于5mm的爬电距离。特殊绝缘线和特殊结构的使用，降低了寄生元件的参数。
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由。
安森美半导体电源分立分部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“GaN晶体管为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来了性能飞跃。随着更多工程师熟悉氮化镓器件的优势，基于GaN的产品需求将快速增长。安森美半导体和Transphorm正工作于新的发展前沿，并加速市场的广泛采纳。”
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面，它是提高能效的关键。
