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应用于高效率、高电压开关电源的GaN场效应晶体管

2024-02-02 11:31:06 来源:电子变压器与电感网 点击:10989

面对社会的需要和系统调节要求,电源转换效率都是电子系统中优先考虑的因数,尤其是从电动汽车(EV)到高压通讯,以及工业基础设施整个应用范围,电源转换效率和功率密度,对于一个成功的电源设计来说都是关键。为适应这些要求,开关式电源的设计者必须转变思路:从传统的硅基(Si)金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的利用(因其已很快接近理论极限),取而代之,应考虑采用基于宽带隙(WBG)的材料,例如将氮化镓(GaN)用于功率器件。GaN器件较之Si器件,电源开关速度更快,可操控更高的电压和功率。对于给定的功率级,体积要小得多,并能以很高的电源效率运行。

本文对GaN FET的基本性能进行了验证,在开关式电源的功率电路中,已显示出超越传统Si器件的优越性,对其电源应用也进行了讨论。

在硅基底上的GaN FET横断面

 

 

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