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本文仅将对SiC MOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护(ESD)技术等二大热点作研讨。
本文将拓展出多种光伏新技术以提升电网的稳定性与光伏系统容量系数作研讨,并以2.3kV IGBT7模块助力1500V光伏逆变器与新型统一电能质量调节器技术为例对其设计与应用作重点分析。
随着新源能电动汽车普及率越来越高，产品的技术越来越成熟和产品的质量稳步提升，产品价格的压力也日益突显出来。为进一步提升产品的性价比并结合目前市场需求研发了一款高性价比的电驱IGBT驱动供电变压器，产品将广泛应用于电动汽车的电驱系统。
DC-DC转换器主要由主控板和IGBT、电感器、电子变压器等功率器件组成，在产业链条盘带下，磁性元器件厂商通过高国产化率的DC/DC转换器找到进入新能源汽车市场的突破口……
本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性，并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性、导通特性及开关特性的影响。
本文通过介绍 SiC 材料及 SiC 功率器件特性，指出 SiC 功率器件非常适合高频、高压化。文章通过设计一台额定输入功率 5.4kW、开关频率 30kHz 的光伏 boost 变换器，分析计算 SiC-MOSFET 损耗远远低于 Si-MOSFET 和 Si-IGBT 损耗。使用 SiC-MOSFET 的光伏发电系统具有转换效率高、发电量高的优势。
固态调制器广泛用于高能物理研究、电子激光、军事、食品加工、气象预报、医疗等领域。介绍了一种以IGBT为开关管的全固态调制器，前级采用IGBT并联技术，后级采用高变比低阻抗脉冲变压器升压。脉冲变压器采用分裂式铁芯和锥形骨架技术，大幅降低脉冲漏感改善脉冲输出波形。
在风电机组并网时，并网导则对其低电压穿越能力做出了要求。因此需要电压跌落模拟装置（VSG）来模拟各类型的电压跌落故障。基于三相多抽头自耦变压器和由 IGBT 构成的双向开关实现的三相电网电压跌落模拟装置，可以实现对任意故障类型、故障持续时间和故障深度的模拟。文章对其进行了实验研究。
研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
采用 5V、12V 和 24V 总线输入的 1~3W 隔离电源被广泛应用于工业领域，比如 PLC AI/AO模块，RS485/CAN/Profibus 总线，辅助电源以及 IGBT 驱动电源等。
