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本文分析了半导体的发展和宽禁带(WBG)半导体的应用,从宽禁带(WBG)半导体应用中所需的功率变换器高频磁元件分析了高频铁氧体材料的发展前景、产业化和应用现状。介绍了JCP96、JCP51、JCP61高频铁氧体材料性能及其研发和工艺技术要点。
研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅(SiC)MOSFET 三相双向逆变器,由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
当今世界,设计师们似乎永远不停地在追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出!更高的系统效率需要团队的努力,这包括(但不限于)性能更高的栅极驱动器、控制器和新的宽禁带技术。