宽禁带半导体是指禁带宽度大于1eV的半导体材料。常见的宽禁带半导体材料包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等。 与传统的硅（Si）等半导体材料相比，宽禁带半导体具有以下优点： 高电场饱和漂移速度：电子能够更快地在晶体内移动，使得宽禁带半导体器件在高功率工作条件下具有更高的响应速度和更低的导通电阻。 高电子迁移率：电子在晶体内的移动能力较强，使得宽禁带半导体器件在高电流密度下具有较低的导通电阻和较小的电压降，有助于减小器件功耗、提高工作效率。
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