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SiC器件等下世代功率半导体，具有高耐压、低损耗以及可高频、高温操作这些优越的特性。为了最大限度地发挥这些优势，开发了器件由铜插头连接、由环氧脂密封的新型功率模块结构。利用这一结构，提高了温度循环容限(cycle Tolerance)；利用银烧结材料，已确认在200℃下工作的高可靠性；而且对新结构特点的充分发
来自电源供应器、太阳光电逆变器(PV)以及工业马达驱动器等的需求，预期可在接下来十年让新兴的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)功率半导体市场以每年两位数字的成长率，达到目前的十八倍。
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太阳能(PV)逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传统硅功率半导体，提供更高的电源转换效率，更可减少所需的电容和感测器数量，已吸引愈来愈多太阳能逆变器制造商青睐。
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
Microsemi公司于日前宣布推出了新一代碳化硅(SiC)标准电源模块，非常适用于大功率开关模式电源供应器、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。
日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管(IGBT)与碳化硅(SiC)FET的35V单通道输出级电源管理栅极驱动器。
