二氧化硅电容器是一种利用二氧化硅薄膜作为介质制造的电容器,属于无极性电容器。这种电容器的电容量较大,一般在皮法拉(pF)级别,介电常数较高,性能稳定,具有较高的耐压性能和稳定性。 二氧化硅电容器的制造工艺主要包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)两种方法。其中,PVD方法是通过蒸发或溅射等物理方式在衬底上沉积二氧化硅薄膜,而CVD方法则是通过化学反应在衬底上沉积二氧化硅薄膜。 二氧化硅电容器的应用范围广泛,如电子设备、通信、汽车电子等领域。它具有高可靠性、高稳定性、寿命长等优点,能够适应
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