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研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。
