肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
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摘要 –当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时,体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时,集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。
Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1,这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
凌力尔特公司推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源 “或”,且对电源电压的干扰最小。
凌特推出集成肖特基二极管的高效白光LED驱动器
凌特推出内置肖特基二极管的负输出DC/DC转换器
凌特新推的双微功率dc/dc转换器含内置肖特基二极管