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本文从氮化镓(GaN)为什么重要特性理念述起,对其设计eGaN FET 具有最佳布局的功率级与逆变器及无人机收缩电机驱动器等多领域的应用作分析研讨，与此同时将对拓展GaN前景应用作简述。
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面，它是提高能效的关键。
来自电源供应器、太阳光电逆变器(PV)以及工业马达驱动器等的需求，预期可在接下来十年让新兴的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)功率半导体市场以每年两位数字的成长率，达到目前的十八倍。
射频(RF)功率技术领域的提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN) 晶体管，所有产品均超越了严格的地面移动市场要求，具有超强耐用性。
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
