氮化镓(GaN)是一种重要的第三代半导体材料,具有多方面的特性和广泛的应用,以下是关于氮化镓的详细介绍: 基本属性: 化学组成:氮化镓由镓(Ga)和氮(N)两种元素组成,分子式为 GaN,摩尔质量为 83.730g/mol。 晶体结构:具有纤锌矿(α 相)、闪锌矿(β 相)及岩盐矿三种晶体结构。在大气压下,热力学稳定结构是六方纤锌矿结构。 物理性质:外观为暗灰色粉末,密度为 6.1g/cm³,熔点约为 1700℃,升华温度为 800℃。不溶于水、稀酸和乙醇,性质稳定,但遇热浓酸和碱会分解,在空气中加热会
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本文从氮化镓(GaN)为什么重要特性理念述起,对其设计eGaN FET 具有最佳布局的功率级与逆变器及无人机收缩电机驱动器等多领域的应用作分析研讨,与此同时将对拓展GaN前景应用作简述。
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面,它可以实现很高的功率密度,从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提高能效的关键。
来自电源供应器、太阳光电逆变器(PV)以及工业马达驱动器等的需求,预期可在接下来十年让新兴的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)功率半导体市场以每年两位数字的成长率,达到目前的十八倍。
射频(RF)功率技术领域的提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN) 晶体管,所有产品均超越了严格的地面移动市场要求,具有超强耐用性。
在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。