砷化镓(Gallium Arsenide)是一种化合物,化学式为 GaAs。它是一种重要的半导体材料,具有高电子迁移率、高载流子浓度、低噪声等优点,被广泛应用于光电子器件、微电子器件、无线通信、卫星通信等领域。 砷化镓的制备方法主要有两种:一种是直接合成法,即在高温下将砷和镓的单质直接反应合成;另一种是外延生长法,即在单晶衬底上通过外延生长的方式制备砷化镓薄膜。 砷化镓材料的应用非常广泛,例如: 光电子器件:砷化镓被广泛应用于制作发光二极管(LED)、激光器、探测器等光电子器件。 微电子器件:
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射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出一种先进的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)控制电路,专门用于优化飞思卡尔AirfastDoherty放大器的性能。
新出来的一个品种,是砷化镓薄膜电池,据报道,其转化率已高达28.2%。我个人认为,这将是诸多薄膜电池中,最有发展前景的品种。
据了解,日前Spire集团的全资子公司SpireSemiconductor研制出了世界上效率最高的三结砷化镓(GaAs)太阳能电池,在406倍太阳辐射聚光(406suns)、大气光学质量1.5(AM1.5)、25℃的测试条件下,这片0.97cm2电池的效率达到了42.3%(500倍聚光条件下效率为42.2%)。
砷化镓功率开关超高频直流变换器