氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
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近年来,随着氮化镓(GAN)技术在大功率电源领域的突破性进展,其高效能、低损耗和耐高温等特性为电源设计带来了革命性的变革。在这一背景下,铭普成功研发出图腾柱无桥电路PFC电感-4KW,并与半导体供应商Innoscience(英诺赛科公司)芯片系列搭配使用开发,Innoscience 芯片型号INN650TA030AH。
本文将应对电源功率模组完整设计挑战相关的的技术特征问题作研讨,并由此拓宽出以EGaN FET提高效率降低总成本的各类型DC-DC转换器设计方案为典例作分析说明。
高频驱动下的第三代半导体服务器电源对磁性材料提出了高频、低损耗要求。本期对话通过行业内权威教授、服务器电源厂商、磁性元器件厂商、磁芯厂商以及线材厂商的对话,探究服务器电源对磁性材料提出了哪些要求、磁性材料厂商如何应对及未来第三代半导体材料发展趋势和难点。
本文从氮化镓(GaN)为什么重要特性理念述起,对其设计eGaN FET 具有最佳布局的功率级与逆变器及无人机收缩电机驱动器等多领域的应用作分析研讨,与此同时将对拓展GaN前景应用作简述。
氮化镓带来的稳定性、小型化等方面的优势,成为未来5-10年智能快充重要的技术方向,平面变压器凭借高功率密度以及一致性好等诸多优势,在氮化镓的商用铺开下,渐成香饽饽……
近年来,氮化镓、超级硅等技术渐渐被用于快充充电器领域,永创星对此开发了多款优质的平面变压器及PD电源技术方案。
GaN产品在小米、华为等行业巨头的带动下,其消费电子渗透率逐步提升,并在5G基建刚需的带动下,成本下降,应用场景将进一步扩大到5G基站、新能源汽车、激光雷达、数据中心等,这给平板变压器未来应用场景带来更多可能。
TDK-爱普科斯推出新一代高频率、低损耗的铁氧体材料——EPCOS N59,这是专门为电源和与快速开关功率半导体(基于氮化镓)协作的变频器而研制的。新材料在700kHz到2MHz这个频率范围作了优化,并在2MHz开关频率 和100℃工作温度时达到最大传输功率。这种铁氧体材料的居里温度超过280℃。
安森美半导体电源分立分部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“GaN晶体管为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来了性能飞跃。随着更多工程师熟悉氮化镓器件的优势,基于GaN的产品需求将快速增长。安森美半导体和Transphorm正工作于新的发展前沿,并加速市场的广泛采纳。”
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面,它可以实现很高的功率密度,从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提高能效的关键。