GaN器件是一种基于氮化镓(GaN)材料的电子器件。氮化镓是一种直接能隙的半导体材料,具有高电子饱和迁移率、高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿电场、高电子饱和迁移率、高光学饱和迁移率等优点。 GaN器件具有高效率、高功率密度、高可靠性、长寿命等优点,因此在电力电子、光电子等领域得到广泛应用。例如,GaN功率器件可以用于电动汽车、高铁、风电等领域的高功率电源转换系统;GaN光电器件可以用于通信、照明等领域的光电转换系统。 需要注意的是,GaN器件的制造工艺和技术难度较高,需要采用先进的材料制备技术和设
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英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。一方面,它可以实现很高的功率密度,从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提高能效的关键。
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W,频率为 3.1至3.5GHz 之间,与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比,能够提供优越的漏极效率(接近70%)。同时,高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求,并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。