科锐推出S波段GaN器件，实现雷达应用的效率最大化
2012-07-10 14:23:08
来源：大比特电子变压器网
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摘要： 科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。
科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。
科锐无线射频（RF）及微波部门总监 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出丰富了科锐高效 S 波段GaN晶体管与单片式微波集成电路（MMIC）产品系列，从而为客户在商用雷达系统高功率放大电路的应用中提供更多的选择。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有优异信号保真度的同时扩展脉冲能力，并最大限度地降低散热管理需求，从而能够帮助无线射频设计工程师大幅度地降低雷达系统的尺寸和重量，同时扩大应用范围并降低安装成本。”
科锐 CGH35060 GaN HEMT 晶体管28V 工作电压下的额定脉冲功率为 60W（当脉宽为100微秒时），功率增益为12dB，漏极效率为 65%，与传统硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已经在高功率放大器参考设计（S 波段频率在3.1至3.5GHz 之间）中得到验证。与 GaAs和Si技术相比，CGH35060 还具有长脉冲、高功率性能（低于0.6dB）、优异的信号保真度以及非常低的功率衰减等特性。
新型GaN HEMT 晶体管与科锐 S 波段全套产品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz）以及CMPA2735075F两级封装GaN HEMT 单片式微波集成电路（MMIC）。
关于科锐（CREE）
科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。科锐LED 照明产品的优势体现在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1，300多项美国专利、2，900多项国际专利和近390项中国专利（以上包括已授权和在审专利），使得科锐LED产品始终处于世界领先水平。科锐照明级大功率LED，具有光效高、色点稳、寿命长等优点。科锐在向客户提供高质量、高可靠发光器件产品的同时也向客户提供成套的LED照明解决方案。科锐碳化硅金属氧化物半导体场效应管开关器件（MOSFET Switch）的导通电阻小、温度系数稳、漏电流低、开关时间短，以及科锐碳化硅肖特基功率二极管（Schottky Power Diode）零反向恢复电流等特性，使得科锐碳化硅功率器件特别适用于高频、高效、高功率密度、高可靠性需求的电力电子系统。
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